ANBON
MOSFET-y, diody, IGBT i półprzewodniki mocy
O producencie
ANBON Semiconductor to producent półprzewodników mocy rozwijający rozwiązania dla układów przełączających i zarządzania energią. Firma koncentruje się na komponentach przeznaczonych do pracy w aplikacjach motoryzacyjnych, przemysłowych, elektronarzędziach oraz sprzęcie gospodarstwa domowego.
Portfolio producenta obejmuje przede wszystkim tranzystory MOSFET, IGBT, diody oraz moduły mocy. ANBON rozwija komponenty, w których istotne są niskie straty przewodzenia, odpowiednia odporność napięciowa, sprawne przełączanie oraz możliwość pracy w kompaktowych układach zasilania.
Producent deklaruje rozwój w modelu IDM i inwestuje w rozwiązania półprzewodnikowe ukierunkowane na efektywne przetwarzanie energii. Firma posiada system zarządzania jakością zgodny z ISO 9001 dla projektowania i sprzedaży diod oraz MOSFET-ów.
Zastosowania
Półprzewodniki ANBON znajdują zastosowanie w układach, w których wymagane jest szybkie i efektywne przełączanie prądu oraz kontrola energii.
- zasilacze impulsowe – klucze tranzystorowe w przetwornicach AC/DC i DC/DC
- automatyka przemysłowa – sterowanie obciążeniami i napędami
- elektronarzędzia – sterowanie silnikami i układami zasilania
- sprzęt AGD – przetwornice, sterowanie silnikami i obciążeniami grzejnymi
- motoryzacja – układy zasilające i elementy wykonawcze
- systemy bateryjne – przełączanie, zabezpieczenia i zarządzanie energią
Oferta ANBON w Maritexie
Oferta ANBON Semiconductor w Maritexie obejmuje półprzewodniki mocy do układów przełączających i zasilających. W portfolio znajdują się m.in. tranzystory MOSFET przeznaczone do kompaktowych układów elektronicznych.
Dostępne grupy produktów obejmują:
- tranzystory N-MOSFET
- półprzewodniki mocy do montażu SMD
- elementy przełączające do przetwornic i sterowników
- komponenty do układów zarządzania energią
Przykładem produktu jest 2N7002ED – tranzystor N-MOSFET 60 V w kompaktowej obudowie SOT-363. Tego typu tranzystory są wykorzystywane jako klucze małej mocy, elementy sterujące oraz interfejsy pomiędzy układami logicznymi a obciążeniami.
Przy doborze MOSFET-a należy sprawdzić napięcie dren–źródło, dopuszczalny prąd, rezystancję RDS(on), napięcie sterowania bramki, moc strat oraz typ obudowy i warunki chłodzenia.
