GMSEMI
Diody, MOSFET-y, tranzystory, SiC/GaN i dyskretne półprzewodniki mocy
O producencie
GMSEMI - Changzhou Galaxy Century Microelectronics - to zintegrowany producent półprzewodników skoncentrowany na technologiach dyskretnych i mocy. Portfolio obejmuje zarówno tradycyjne elementy krzemowe, jak i nowsze technologie szerokoprzerwowe, co pozwala firmie realizować funkcje prostowania, zabezpieczania i przełączania w szerokim zakresie napięć i mocy.
Oferta obejmuje standardowe, szybkie i Schottky'ego diody prostownicze, elementy zabezpieczające Zener, TVS i ESD, tranzystory bipolarne, MOSFET-y, IGBT oraz wybrane układy SiC i GaN. Producent oferuje także rozwiązania optoelektroniczne i zintegrowane układy mocy. Taki zakres technologii wspiera zastosowania od niskonapięciowej elektroniki konsumenckiej po przetwornice większej mocy i przemysłowe systemy energetyczne.
Elementy krzemowe, SiC i GaN oferują różne kompromisy między kosztem, stratami przewodzenia, szybkością przełączania, wymaganiami sterowania bramką i właściwościami cieplnymi. Technologię należy więc dobierać jako część całej architektury stopnia mocy, a nie wyłącznie według maksymalnego napięcia lub prądu. Napięcie blokowania, RDS(on) lub spadek napięcia, ładunek przełączania, charakterystyka odzyskiwania, dopuszczalna temperatura złącza i rezystancja termiczna obudowy to kluczowe parametry w zasilaczach, ładowarkach, napędach silnikowych i urządzeniach konwersji energii.
Zastosowania
Komponenty GMSEMI obejmują szeroki zakres funkcji - od prostowania i ochrony sygnałów po przełączanie mocy w nowoczesnych przetwornicach.
- zasilacze i adaptery.
- motoryzacja.
- sprzęt AGD i elektronika użytkowa.
- automatyka przemysłowa.
- przetwornice i elektronika mocy.
- szybkie ładowarki i adaptery - prostowanie i przełączanie o wysokiej częstotliwości.
- przetwornice fotowoltaiczne i magazynów energii - wysokonapięciowe przełączanie mocy i zabezpieczenia.
Produkty GMSEMI dostępne w Maritexie
Oferta GMSEMI dostępna w Maritexie obejmuje dyskretne półprzewodniki do prostowania, ochrony i przełączania. Elementy można dobierać według napięcia, prądu, szybkości przełączania, technologii i typu obudowy.
Dostępne grupy produktów obejmują:
- diody prostownicze Schottky'ego, szybkie i standardowe.
- rodziny tranzystorów MOSFET, IGBT i elementów szerokoprzerwowych.
- diody i prostowniki.
- diody zabezpieczające TVS/Zener/ESD.
- tranzystory i MOSFET-y.
- elementy mocy SiC/GaN.
Dla elementów mocy należy sprawdzić napięcie blokowania, prąd ciągły i impulsowy, RDS(on) lub spadek napięcia, ładunek przełączania i parametry odzyskiwania, dopuszczalną temperaturę złącza oraz rezystancję termiczną obudowy; dla SiC/GaN trzeba dodatkowo uwzględnić wymagania sterowania bramką.
