Zdjęcia produktów mają charakter poglądowy. Rzeczywisty wygląd przedmiotu może nieznacznie różnić się od przedstawionego na ilustracji, co nie wpływa na jego podstawowe właściwości.
ZXMN10A09K
Kod producenta: ZXMN10A09K
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 7.7A; 0.085ohm; 4.31W; -55+150 st.C; SMD; TO252-3L (DPAK); AEC-Q100
| Ilość szt. | Cena netto PLN/szt. |
|---|---|
| 1+ | 13,60 |
| 10+ | 12,92 |
| 25+ | 12,24 |
| 100+ | 11,56 |
| 500+ | 10,20 |
Pliki do pobrania
Pliki do pobrania
Informacje
Producent
DIODES
Kod
ZXMN10A09K
Kod producenta
ZXMN10A09K
Waga netto (kg)
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Napięcie dren-źródło
100V
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
85mOhm
Typ tranzystora
N-MOSFET
Obudowa
TO252(DPAK)
Montaż
SMD
Prąd drenu
5A
Producent
DIODES
Temperatura pracy
-55+150 st.C
Moc rozpraszana
4.31W
9
sztuk w magazynie
Ilość
(wielokrotność: 1 szt.)
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Razem 13,60 PLN netto
Kontakt z konsultantem
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy
