.avif?w=300&h=300&q=95&fit=bound)
Zdjęcia produktów mają charakter poglądowy. Rzeczywisty wygląd przedmiotu może nieznacznie różnić się od przedstawionego na ilustracji, co nie wpływa na jego podstawowe właściwości.
HKTD4N65-H
Kod producenta: HKTD4N65
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 4A; 2.22ohm; 23.1W; -55+150 st.C; SMD; TO252(DPAK)
Pliki do pobrania
Pliki do pobrania
Informacje
Producent
HOTTECH
Kod
HKTD4N65-H
Kod producenta
HKTD4N65
Opakowanie
rolka
Ilość w opakowaniu
2500
Waga netto (kg)
Kod PCN
8541210000
Dane techniczne
Napięcie dren-źródło
650V
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
2.22mOhm
Typ tranzystora
N-MOSFET
Obudowa
TO252(DPAK)
Montaż
SMD
Prąd drenu
4A
Producent
HOTTECH
Temperatura pracy
-55+150 st.C
Moc rozpraszana
23.1W
Opakowanie: rolka
Ilość w opakowaniu: 2500
Kontakt z konsultantem
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy