Zadzwoń: +48 58 6228900
Opinie
Zdjęcia produktów mają charakter poglądowy. Rzeczywisty wygląd przedmiotu może nieznacznie różnić się od przedstawionego na ilustracji, co nie wpływa na jego podstawowe właściwości.
FQD2N60CTM
Kod producenta: FQD2N60CTM
FQD2N60CTM tranzystor MOSFET, kanał typu N, 600V, 1.9A, 3.6ohm, TO-252AA
| Ilość szt. | Cena netto PLN/szt. |
|---|---|
| 1+ | 3,95 |
| 10+ | 2,61 |
| 100+ | 1,72 |
| 500+ | 1,37 |
| 1000+ | 1,24 |
| 2500+ | 1,08 |
Pliki do pobrania
Pliki do pobrania
Informacje
Producent
ON SEMICONDUCTOR
Kod
FQD2N60CTM
Kod producenta
FQD2N60CTM
Waga netto (kg)
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Montaż
SMD
Obudowa
TO252-3
Prąd drenu
1.9A
Typ
kanał N
Temperatura pracy
-55+150 st.C
Moc rozpraszana
2.5W
Napięcie dren-źródło
600V
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
3.6Ohm
Typ tranzystora
N-MOSFET
Wielokrotność: 1 szt.
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Kontakt z konsultantem
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy
