Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -30V; -80A; 0.006ohm; 70W; -55+150 st.C; SMD; DFN3.3X3.3

Zdjęcia produktów mają charakter poglądowy. Rzeczywisty wygląd przedmiotu może nieznacznie różnić się od przedstawionego na ilustracji, co nie wpływa na jego podstawowe właściwości.

PDB39E3CZ

Kod producenta: PDB39E3CZ

Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -30V; -80A; 0.006ohm; 70W; -55+150 st.C; SMD; DFN3.3X3.3

Informacje
Producent
POTENS-SEMI
Kod
PDB39E3CZ
Kod producenta
PDB39E3CZ
Opakowanie
rolka
Ilość w opakowaniu
3000
Waga netto (kg)
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Napięcie dren-źródło
-30V
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
6mOhm
Typ tranzystora
P-MOSFET
Obudowa
DFN3.3X3.3
Montaż
SMD
Prąd drenu
-80A
Producent
POTENS SEMI
Temperatura pracy
-55+150 st.C
Moc rozpraszana
70W
Opakowanie: rolka
Ilość w opakowaniu: 3000
Kontakt z konsultantem
test
Opiekunem produktu jest Paweł Kasowicz
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy