Zdjęcia produktów mają charakter poglądowy. Rzeczywisty wygląd przedmiotu może nieznacznie różnić się od przedstawionego na ilustracji, co nie wpływa na jego podstawowe właściwości.
PDB40B8AF6H
Kod producenta: PDB40B8AF6H
Tranzystor: N+N+N+N+N+N-MOSFET; unipolarny; 40V; 150A; 0.0022ohm; 86W; -55+150 st.C; SMD; DFN10X10
Pliki do pobrania
Pliki do pobrania
Informacje
Producent
POTENS-SEMI
Kod
PDB40B8AF6H
Kod producenta
PDB40B8AF6H
Opakowanie
rolka
Ilość w opakowaniu
3000
Waga netto (kg)
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Napięcie dren-źródło
40V
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
2.2mOhm
Typ tranzystora
6xN-MOSFET
Obudowa
DFN10X10
Montaż
SMD
Prąd drenu
150A
Producent
POTENS SEMI
Temperatura pracy
-55+150 st.C
Moc rozpraszana
86W
Opakowanie: rolka
Ilość w opakowaniu: 3000
Kontakt z konsultantem
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy
