Tranzystor: N+N-MOSFET; unipolarny; 20V; 40A; 0.0061ohm; 27W; dioda ESD; -55+150 st.C; SMD; DFN3X3

Zdjęcia produktów mają charakter poglądowy. Rzeczywisty wygląd przedmiotu może nieznacznie różnić się od przedstawionego na ilustracji, co nie wpływa na jego podstawowe właściwości.

PDEB25A6N

Kod producenta: PDEB25A6N

Tranzystor: N+N-MOSFET; unipolarny; 20V; 40A; 0.0061ohm; 27W; dioda ESD; -55+150 st.C; SMD; DFN3X3

Informacje
Producent
POTENS-SEMI
Kod
PDEB25A6N
Kod producenta
PDEB25A6N
Opakowanie
rolka
Ilość w opakowaniu
3000
Waga netto (kg)
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Napięcie dren-źródło
20V
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
6.1mOhm
Typ tranzystora
2xN-MOSFET
Obudowa
DFN3X3
Montaż
SMD
Prąd drenu
40A
Producent
POTENS SEMI
Temperatura pracy
-55+150 st.C
Moc rozpraszana
27W
Opakowanie: rolka
Ilość w opakowaniu: 3000
Kontakt z konsultantem
test
Opiekunem produktu jest Paweł Kasowicz
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy