Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 38A; 0.017ohm; 62W; -55+150 st.C; SMD; TO251

Zdjęcia produktów mają charakter poglądowy. Rzeczywisty wygląd przedmiotu może nieznacznie różnić się od przedstawionego na ilustracji, co nie wpływa na jego podstawowe właściwości.

PDR09C6B

Kod producenta: PDR09C6B

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 38A; 0.017ohm; 62W; -55+150 st.C; SMD; TO251

Informacje
Producent
POTENS-SEMI
Kod
PDR09C6B
Kod producenta
PDR09C6B
Opakowanie
pudełko
Ilość w opakowaniu
4000
Waga netto (kg)
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Napięcie dren-źródło
100V
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
17mOhm
Typ tranzystora
N-MOSFET
Obudowa
TO251
Montaż
SMD
Prąd drenu
38A
Producent
POTENS SEMI
Temperatura pracy
-55+150 st.C
Moc rozpraszana
62W
Opakowanie: pudełko
Ilość w opakowaniu: 4000
Kontakt z konsultantem
test
Opiekunem produktu jest Paweł Kasowicz
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy