
Zdjęcia produktów mają charakter poglądowy. Rzeczywisty wygląd przedmiotu może nieznacznie różnić się od przedstawionego na ilustracji, co nie wpływa na jego podstawowe właściwości.
Pliki do pobrania
Pliki do pobrania
Informacje
Producent
Kod
PJR08N65N
Kod producenta
PJR08N65N
Opakowanie
pudełko
Ilość w opakowaniu
4000
Waga netto (kg)
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Montaż
SMD
Obudowa
TO251
Prąd drenu
8A
Temperatura pracy
-55+150 st.C
Moc rozpraszana
65W
Napięcie dren-źródło
650V
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
580mOhm
Typ tranzystora
N-MOSFET
Wielokrotność: 1 szt.
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Opakowanie: pudełko
Ilość w opakowaniu: 4000
Kontakt z konsultantem
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy