Zdjęcia produktów mają charakter poglądowy. Rzeczywisty wygląd przedmiotu może nieznacznie różnić się od przedstawionego na ilustracji, co nie wpływa na jego podstawowe właściwości.
PJR11N65N
Kod producenta: PJR11N65N
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 11A; 0.36ohm; 75W; -55+150 st.C; SMD; TO251
Pliki do pobrania
Pliki do pobrania
Informacje
Producent
POTENS-SEMI
Kod
PJR11N65N
Kod producenta
PJR11N65N
Opakowanie
pudełko
Ilość w opakowaniu
4000
Waga netto (kg)
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Napięcie dren-źródło
650V
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
360mOhm
Typ tranzystora
N-MOSFET
Obudowa
TO251
Montaż
SMD
Prąd drenu
11A
Producent
POTENS SEMI
Temperatura pracy
-55+150 st.C
Moc rozpraszana
75W
Opakowanie: pudełko
Ilość w opakowaniu: 4000
Kontakt z konsultantem
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy
