
Zdjęcia produktów mają charakter poglądowy. Rzeczywisty wygląd przedmiotu może nieznacznie różnić się od przedstawionego na ilustracji, co nie wpływa na jego podstawowe właściwości.
Pliki do pobrania
Pliki do pobrania
Informacje
Producent
Kod
PJX20N65N
Kod producenta
PJX20N65N
Opakowanie
pudełko
Ilość w opakowaniu
330
Waga netto (kg)
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Napięcie dren-źródło
650V
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
190mOhm
Typ tranzystora
N-MOSFET
Obudowa
TO247
Montaż
SMD
Prąd drenu
20A
Producent
POTENS SEMI
Temperatura pracy
-55+150 st.C
Moc rozpraszana
180W
Wielokrotność: 1 szt.
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Opakowanie: pudełko
Ilość w opakowaniu: 330
Kontakt z konsultantem
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy