FDG6322C-VB
Kod producenta: FDG6322C
Tranzystor: N+P-MOSFET; unipolarny; 20V/-20V; 3.03A/-2.58A; 0,09/0,11ohm; 1.24/1.1W; -55+150 st.C; SMD; SC706
| Ilość szt. | Cena netto PLN/szt. |
|---|---|
| 1+ | 2,25 |
Pliki do pobrania
Pliki do pobrania
Informacje
Producent
VB-SEMI
Kod
FDG6322C-VB
Kod producenta
FDG6322C
Opakowanie
rolka
Ilość w opakowaniu
3000
Waga netto (kg)
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
90mOhm/110mOhm
Typ tranzystora
N+P-MOSFET
Napięcie dren-żródło
20V/-20V
Obudowa
SC70-6
Montaż
SMD
Napięcie DS
20V-20V
Prąd drenu
3.03A/-2.58A
Producent
VB SEMI
Temperatura pracy
-55+150 st.C
Typ
Kanał N i Punipolarny
Moc rozpraszana
1.24W/1.1W
0
sztuk w magazynie
Opakowanie: rolka
Ilość w opakowaniu: 3000
Kontakt z konsultantem
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy
