Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -20V; -5A; 0.035ohm; 2.5W; -55+150 st.C; SMD; SOT23

FDN306P-VB

Kod producenta: FDN306P

Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -20V; -5A; 0.035ohm; 2.5W; -55+150 st.C; SMD; SOT23

Ilość szt. Cena netto PLN/szt.
1+ 1,25
10+ 1,19
25+ 0,99
100+ 0,89
250+ 0,8322
500+ 0,71
1000+ 0,663
3000+ 0,64
Informacje
Producent
VB-SEMI
Kod
FDN306P-VB
Kod producenta
FDN306P
Waga netto (kg)
0.00004
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
35mOhm
Typ tranzystora
P-MOSFET
Napięcie dren-żródło
-20V
Obudowa
SOT23
Montaż
SMD
Napięcie DS
-20V
Prąd drenu
-5A
Producent
VB SEMI
Temperatura pracy
-55+150 st.C
Typ
kanał P
Moc rozpraszana
2.5W
91 sztuk w magazynie
Ilość (wielokrotność: 1 szt.)
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Razem 1,25 PLN netto
Kontakt z konsultantem
test
Opiekunem produktu jest Paweł Kasowicz
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy