FDN352AP-VB
Kod producenta: FDN352AP
Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -30V; -5.6A; 7.7ohm; 1.6W; -55+-150 st.C; SMD; SOT23
| Ilość szt. | Cena netto PLN/szt. |
|---|---|
| 1+ | 1,71 |
| 10+ | 1,13 |
| 50+ | 0,9897 |
| 100+ | 0,7903 |
| 250+ | 0,7245 |
| 500+ | 0,583 |
| 1000+ | 0,5215 |
| 2000+ | 0,5064 |
Pliki do pobrania
Pliki do pobrania
Informacje
Producent
VB-SEMI
Kod
FDN352AP-VB
Kod producenta
FDN352AP
Opakowanie
rolka
Ilość w opakowaniu
3000
Waga netto (kg)
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
7.7Ohm
Typ tranzystora
P-MOSFET
Napięcie dren-żródło
-30V
Obudowa
SOT23
Montaż
SMD
Napięcie DS
-30V
Prąd drenu
-5.4V
Producent
VB SEMI
Temperatura pracy
-55+150 st.C
Typ
kanał P
Moc rozpraszana
1.6W
97
sztuk w magazynie
Ilość
(wielokrotność: 1 szt.)
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Opakowanie: rolka
Ilość w opakowaniu: 3000
Razem 1,71 PLN netto
Kontakt z konsultantem
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy
