Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 20V; 12A; 1.8ohm; 4.1W; -55+150 st.C; SMD; SO8

Zdjęcia produktów mają charakter poglądowy. Rzeczywisty wygląd przedmiotu może nieznacznie różnić się od przedstawionego na ilustracji, co nie wpływa na jego podstawowe właściwości.

IRF8707TRPBF-VB

Kod producenta: IRF8707TRPBF

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 20V; 12A; 1.8ohm; 4.1W; -55+150 st.C; SMD; SO8

Ilość szt. Cena netto PLN/szt.
1+ 3,50
25+ 3,33
100+ 3,15
500+ 2,98
1000+ 2,63
Informacje
Producent
VB-SEMI
Kod
IRF8707TRPBF-VB
Kod producenta
IRF8707TRPBF
Opakowanie
rolka
Ilość w opakowaniu
4000
Waga netto (kg)
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Napięcie dren-źródło
20V
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
1.8Ohm
Typ tranzystora
N-MOSFET
Obudowa
SO8
Montaż
SMD
Prąd drenu
11A
Producent
VB SEMI
Temperatura pracy
-55+150 st.C
Moc rozpraszana
4.1W
0 sztuk w magazynie
Opakowanie: rolka
Ilość w opakowaniu: 4000
Kontakt z konsultantem
test
Opiekunem produktu jest Paweł Kasowicz
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy