Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 80V; 120A; 0.006ohm; 370W; -55+175 st.C; SMD;TO263

Zdjęcia produktów mają charakter poglądowy. Rzeczywisty wygląd przedmiotu może nieznacznie różnić się od przedstawionego na ilustracji, co nie wpływa na jego podstawowe właściwości.

PSMN8R7-80BS-VB

Kod producenta: PSMN8R7-80BS

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 80V; 120A; 0.006ohm; 370W; -55+175 st.C; SMD;TO263

Ilość szt. Cena netto PLN/szt.
1+ 6,45
25+ 6,128
100+ 5,805
250+ 5,483
800+ 4,838
Informacje
Producent
VB-SEMI
Kod
PSMN8R7-80BS-VB
Kod producenta
PSMN8R7-80BS
Opakowanie
tacka
Ilość w opakowaniu
800
Waga netto (kg)
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Napięcie dren-źródło
80V
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
6mOhm
Typ tranzystora
N-MOSFET
Obudowa
TO263 (D2PAK)
Montaż
SMD
Prąd drenu
120A
Producent
VB SEMI
Temperatura pracy
-55+175 st.C
Moc rozpraszana
370W
100 sztuk w magazynie
Ilość (wielokrotność: 1 szt.)
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Opakowanie: tacka
Ilość w opakowaniu: 800
Razem 6,45 PLN netto
Kontakt z konsultantem
test
Opiekunem produktu jest Paweł Kasowicz
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy