Zadzwoń: +48 58 6228900
Opinie
Zdjęcia produktów mają charakter poglądowy. Rzeczywisty wygląd przedmiotu może nieznacznie różnić się od przedstawionego na ilustracji, co nie wpływa na jego podstawowe właściwości.
SI1926DL-T1-GE3-VB
Kod producenta: SI1926DL-T1-GE3
Tranzystor: 2xN-MOSFET; unipolarny; 60V; 300mA; 2.5ohm; 0.35W; -55+150 st.C; SMD; SOT-363
| Ilość szt. | Cena netto PLN/szt. |
|---|---|
| 1+ | 0,55 |
| 25+ | 0,523 |
| 100+ | 0,495 |
| 1000+ | 0,468 |
| 3000+ | 0,413 |
Pliki do pobrania
Pliki do pobrania
Informacje
Producent
Kod
SI1926DL-T1-GE3-VB
Kod producenta
SI1926DL-T1-GE3
Opakowanie
rolka
Ilość w opakowaniu
3000
Waga netto (kg)
Kod PCN
8541210000
Dane techniczne
Napięcie dren-źródło
60V
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
2.5Ohm
Typ tranzystora
2xN-MOSFET
Obudowa
SOT363
Montaż
SMD
Prąd drenu
300mA
Producent
VB SEMI
Temperatura pracy
-55+150 st.C
Moc rozpraszana
350mW
Wielokrotność: 1 szt.
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Opakowanie: rolka
Ilość w opakowaniu: 3000
Ilość
Razem 0,55 PLN netto
Kontakt z konsultantem
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy
