Zdjęcia produktów mają charakter poglądowy. Rzeczywisty wygląd przedmiotu może nieznacznie różnić się od przedstawionego na ilustracji, co nie wpływa na jego podstawowe właściwości.
SI2305CDS-T1-GE3-VB
Kod producenta: SI2305CDS-T1-GE3
Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -20V; -5A; 0.035ohm; 2.5W; -55+150 st.C; SMD; SOT23
| Ilość szt. | Cena netto PLN/szt. |
|---|---|
| 1+ | 0,45 |
| 25+ | 0,427 |
| 100+ | 0,405 |
| 500+ | 0,382 |
| 3000+ | 0,338 |
Pliki do pobrania
Pliki do pobrania
Informacje
Producent
VB-SEMI
Kod
SI2305CDS-T1-GE3-VB
Kod producenta
SI2305CDS-T1-GE3
Opakowanie
rolka
Ilość w opakowaniu
3000
Waga netto (kg)
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Napięcie dren-źródło
-20V
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
35mOhm
Typ tranzystora
P-MOSFET
Obudowa
SOT23
Montaż
SMD
Prąd drenu
-4.5A
Producent
VB SEMI
Temperatura pracy
-55+150 st.C
Moc rozpraszana
2.5W
2755
sztuk w magazynie
Ilość
(wielokrotność: 1 szt.)
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Opakowanie: rolka
Ilość w opakowaniu: 3000
Razem 0,45 PLN netto
Kontakt z konsultantem
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy
