Zadzwoń: +48 58 6228900
Opinie
Zdjęcia produktów mają charakter poglądowy. Rzeczywisty wygląd przedmiotu może nieznacznie różnić się od przedstawionego na ilustracji, co nie wpływa na jego podstawowe właściwości.
SI2315BDS-T1-GE3-VB
Kod producenta: SI2315BDS-T1-GE3
Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -30V; -5.6A; 0.046ohm; 2.5W; -55+150 st.C; SMD; SOT23
| Ilość szt. | Cena netto PLN/szt. |
|---|---|
| 1+ | 2,15 |
| 10+ | 1,83 |
| 100+ | 1,32 |
| 250+ | 1,15 |
| 500+ | 1,04 |
| 1000+ | 0,9434 |
| 3000+ | 0,8241 |
| 6000+ | 0,7627 |
| 9000+ | 0,7289 |
Pliki do pobrania
Pliki do pobrania
Informacje
Producent
Kod
SI2315BDS-T1-GE3-VB
Kod producenta
SI2315BDS-T1-GE3
Opakowanie
rolka
Ilość w opakowaniu
3000
Waga netto (kg)
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Napięcie dren-źródło
-30V
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
46mOhm
Typ tranzystora
P-MOSFET
Obudowa
SOT23
Montaż
SMD
Prąd drenu
-5.6A
Producent
VB SEMI
Temperatura pracy
-55+150 st.C
Moc rozpraszana
2.5W
Wielokrotność: 1 szt.
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Opakowanie: rolka
Ilość w opakowaniu: 3000
Ilość
Razem 2,15 PLN netto
Kontakt z konsultantem
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy
