Zdjęcia produktów mają charakter poglądowy. Rzeczywisty wygląd przedmiotu może nieznacznie różnić się od przedstawionego na ilustracji, co nie wpływa na jego podstawowe właściwości.
SI4435BDY-T1-GE3-VB
Kod producenta: SI4435BDY-T1-GE3
Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -30V; -9A; 0,018ohm; 4.2W; -55+-150 st.C; SMD; SO8
| Ilość szt. | Cena netto PLN/szt. |
|---|---|
| 1+ | 2,45 |
| 25+ | 2,33 |
| 100+ | 2,20 |
| 1000+ | 2,08 |
| 4000+ | 1,84 |
Pliki do pobrania
Pliki do pobrania
Informacje
Producent
VB-SEMI
Kod
SI4435BDY-T1-GE3-VB
Kod producenta
SI4435BDY-T1-GE3
Opakowanie
rolka
Ilość w opakowaniu
4000
Waga netto (kg)
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Napięcie dren-źródło
-30V
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
18mOhm
Typ tranzystora
P-MOSFET
Obudowa
SO8
Montaż
SMD
Prąd drenu
-9A
Producent
VB SEMI
Temperatura pracy
-55+150 st.C
Moc rozpraszana
4.2W
100
sztuk w magazynie
Ilość
(wielokrotność: 1 szt.)
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Opakowanie: rolka
Ilość w opakowaniu: 4000
Razem 2,45 PLN netto
Kontakt z konsultantem
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy
