Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 2.3A; 0.156ohm; 1.66W; -55+150 st.C; SMD; SOT23

Zdjęcia produktów mają charakter poglądowy. Rzeczywisty wygląd przedmiotu może nieznacznie różnić się od przedstawionego na ilustracji, co nie wpływa na jego podstawowe właściwości.

SI2308BDS

Kod producenta: SI2308BDS-T1-E3

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 2.3A; 0.156ohm; 1.66W; -55+150 st.C; SMD; SOT23

Ilość szt. Cena netto PLN/szt.
1+ 0,90
50+ 0,819
100+ 0,729
500+ 0,657
1000+ 0,6376
3000+ 0,5487
6000+ 0,5278
Informacje
Producent
VISHAY
Kod
SI2308BDS
Kod producenta
SI2308BDS-T1-E3
Opakowanie
rolka
Ilość w opakowaniu
3000
Waga netto (kg)
0.000085
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Napięcie dren-źródło
60V
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
156mOhm
Typ tranzystora
N-MOSFET
Obudowa
SOT23
Montaż
SMD
Prąd drenu
2.3A
Producent
VISHAYVISHAY
Temperatura pracy
-55+150 st.C
Moc rozpraszana
1.66W
2802 sztuk w magazynie
Ilość (wielokrotność: 1 szt.)
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Opakowanie: rolka
Ilość w opakowaniu: 3000
Razem 0,90 PLN netto
Kontakt z konsultantem
test
Opiekunem produktu jest Paweł Kasowicz
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy