Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 20V; 6A; 0.0318ohm; 2.1W; -55+150 st.C; SMD; SOT23

Zdjęcia produktów mają charakter poglądowy. Rzeczywisty wygląd przedmiotu może nieznacznie różnić się od przedstawionego na ilustracji, co nie wpływa na jego podstawowe właściwości.

SI2312CDS-T1-GE3

Kod producenta: SI2312CDS-T1-GE3

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 20V; 6A; 0.0318ohm; 2.1W; -55+150 st.C; SMD; SOT23

Ilość szt. Cena netto PLN/szt.
1+ 1,14
25+ 1,08
100+ 0,87
500+ 0,60
3000+ 0,46
9000+ 0,46
Informacje
Producent
VISHAY
Kod
SI2312CDS-T1-GE3
Kod producenta
SI2312CDS-T1-GE3
Opakowanie
rolka
Ilość w opakowaniu
3000
Waga netto (kg)
0.000018
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Napięcie dren-źródło
20V
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
31.8mOhm
Typ tranzystora
N-MOSFET
Obudowa
SOT23
Montaż
SMD
Prąd drenu
5A
Producent
VISHAYVISHAY
Temperatura pracy
-55+150 st.C
Moc rozpraszana
2.1W
1464 sztuk w magazynie
Ilość (wielokrotność: 1 szt.)
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Opakowanie: rolka
Ilość w opakowaniu: 3000
Razem 1,14 PLN netto
Kontakt z konsultantem
test
Opiekunem produktu jest Paweł Kasowicz
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy