Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -12V; -7.1A; 0.035ohm; 2.5W; -55+150 st.C; SMD; SOT23

Zdjęcia produktów mają charakter poglądowy. Rzeczywisty wygląd przedmiotu może nieznacznie różnić się od przedstawionego na ilustracji, co nie wpływa na jego podstawowe właściwości.

SI2333CDS-T1-GE3

Kod producenta: SI2333CDS-T1-GE3

Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -12V; -7.1A; 0.035ohm; 2.5W; -55+150 st.C; SMD; SOT23

Informacje
Producent
VISHAY
Kod
SI2333CDS-T1-GE3
Kod producenta
SI2333CDS-T1-GE3
Waga netto (kg)
0.00002
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Napięcie dren-źródło
-12V
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
35mOhm
Typ tranzystora
P-MOSFET
Obudowa
SOT23
Montaż
SMD
Prąd drenu
-5.7A
Producent
VISHAYVISHAY
Temperatura pracy
-55+150 st.C
Moc rozpraszana
2.5W
Kontakt z konsultantem
test
Opiekunem produktu jest Paweł Kasowicz
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy