Zdjęcia produktów mają charakter poglądowy. Rzeczywisty wygląd przedmiotu może nieznacznie różnić się od przedstawionego na ilustracji, co nie wpływa na jego podstawowe właściwości.
SI2333DS-T1-GE3
Kod producenta: SI2333DS-T1-GE3
Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -12V; -5.3A; 0.032ohm; 1.25W; -55+150 st.C; SMD; SOT23
| Ilość szt. | Cena netto PLN/szt. |
|---|---|
| 1+ | 1,15 |
| 100+ | 1,06 |
| 500+ | 0,98 |
| 1000+ | 0,87 |
| 3000+ | 0,78 |
Pliki do pobrania
Pliki do pobrania
Informacje
Producent
VISHAY
Kod
SI2333DS-T1-GE3
Kod producenta
SI2333DS-T1-GE3
Waga netto (kg)
0.00003
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Napięcie dren-źródło
-12V
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
32mOhm
Typ tranzystora
P-MOSFET
Obudowa
SOT23
Montaż
SMD
Prąd drenu
4.1A
Producent
VISHAYVISHAY
Temperatura pracy
-55+150 st.C
Moc rozpraszana
1.25W
0
sztuk w magazynie
Kontakt z konsultantem
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy
