Zdjęcia produktów mają charakter poglądowy. Rzeczywisty wygląd przedmiotu może nieznacznie różnić się od przedstawionego na ilustracji, co nie wpływa na jego podstawowe właściwości.
SI2399DS-T1-GE3
Kod producenta: SI2399DS-T1-GE3
Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -20V; -6A; 0.034ohm; 2.5W; -55+150 st.C; SMD; SOT23
| Ilość szt. | Cena netto PLN/szt. |
|---|---|
| 1+ | 1,60 |
| 10+ | 1,37 |
| 25+ | 1,22 |
| 100+ | 0,91 |
| 250+ | 0,82 |
| 500+ | 0,76 |
| 1000+ | 0,70 |
Pliki do pobrania
Pliki do pobrania
Informacje
Producent
VISHAY
Kod
SI2399DS-T1-GE3
Kod producenta
SI2399DS-T1-GE3
Waga netto (kg)
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Napięcie dren-źródło
-20V
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
34mOhm
Typ tranzystora
P-MOSFET
Obudowa
SOT23
Montaż
SMD
Prąd drenu
-6A
Producent
VISHAYVISHAY
Temperatura pracy
-55+150 st.C
Moc rozpraszana
2.5W
0
sztuk w magazynie
Kontakt z konsultantem
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy
