Zadzwoń: +48 58 6228900
Opinie
Zdjęcia produktów mają charakter poglądowy. Rzeczywisty wygląd przedmiotu może nieznacznie różnić się od przedstawionego na ilustracji, co nie wpływa na jego podstawowe właściwości.
SIRA14DP-T1-GE3
Kod producenta: SIRA14DP-T1-GE3
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 20A; 0.0051ohm; 31.2W; -55+150 st.C; SMD; SO8
| Ilość szt. | Cena netto PLN/szt. |
|---|---|
| 1+ | 4,70 |
| 10+ | 4,47 |
| 100+ | 4,23 |
| 500+ | 4,00 |
| 3000+ | 3,53 |
Pliki do pobrania
Pliki do pobrania
Informacje
Producent
VISHAY
Kod
SIRA14DP-T1-GE3
Kod producenta
SIRA14DP-T1-GE3
Waga netto (kg)
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Montaż
SMD
Obudowa
SO8
Prąd drenu
50A
Typ
unipolarny
Temperatura pracy
-55+150 st.C
Moc rozpraszana
31.2W
Napięcie dren-źródło
40V
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
5.1mOhm
Typ tranzystora
N-MOSFET
Wielokrotność: 1 szt.
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Kontakt z konsultantem
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy
