Zdjęcia produktów mają charakter poglądowy. Rzeczywisty wygląd przedmiotu może nieznacznie różnić się od przedstawionego na ilustracji, co nie wpływa na jego podstawowe właściwości.
SISS94DN-T1-GE3
Kod producenta: SISS94DN-T1-GE3
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 19.5A; 0.075ohm; 65.8W; -55+150 st.C; SMD; PowerPAK(SO8)
| Ilość szt. | Cena netto PLN/szt. |
|---|---|
| 1+ | 2,87 |
| 5+ | 2,59 |
| 25+ | 2,29 |
| 100+ | 2,05 |
| 500+ | 1,92 |
Pliki do pobrania
Pliki do pobrania
Informacje
Producent
VISHAY
Kod
SISS94DN-T1-GE3
Kod producenta
SISS94DN-T1-GE3
Waga netto (kg)
0.000062
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Napięcie dren-źródło
200V
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
75mOhm
Typ tranzystora
N-MOSFET
Obudowa
Power PAK-1212-8SH-8
Montaż
SMD
Prąd drenu
18A
Producent
VISHAYVISHAY
Temperatura pracy
-55+150 st.C
Moc rozpraszana
65.8W
0
sztuk w magazynie
Kontakt z konsultantem
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy
