Tranzystor N-MOSFET SiC; unipolarny; 1200V; 65mOhm; -40+175 st.C; SMD; TO-263-7 XL

Zdjęcia produktów mają charakter poglądowy. Rzeczywisty wygląd przedmiotu może nieznacznie różnić się od przedstawionego na ilustracji, co nie wpływa na jego podstawowe właściwości.

C4MS065120J2-TR

Kod producenta: C4MS065120J2-TR

Tranzystor N-MOSFET SiC; unipolarny; 1200V; 65mOhm; -40+175 st.C; SMD; TO-263-7 XL

cad-link
Ilość szt. Cena netto PLN/szt.
1+ 19,82
30+ 13,87
450+ 11,89
10350+ 10,90
Informacje
Producent
Kod
C4MS065120J2-TR
Kod producenta
C4MS065120J2-TR
Opakowanie
rolka
Ilość w opakowaniu
800
Waga netto (kg)
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Montaż
SMD
Obudowa
TO-263-7 XL
Prąd drenu
30A
Typ
SiC
Temperatura pracy
-40+175 st.C
Napięcie dren-źródło
1200V
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
65mOhm
Typ tranzystora
N-MOSFET
0
sztuk w magazynie
Wielokrotność: 1 szt.
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Opakowanie: rolka
Ilość w opakowaniu: 800
Kontakt z konsultantem
test
Opiekunem produktu jest Tomasz Popławski
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy
contact