Tranzystor N-MOSFET SiC; unipolarny; 1200V; 65mOhm; -40+175 st.C; THT; TO-247-4

Zdjęcia produktów mają charakter poglądowy. Rzeczywisty wygląd przedmiotu może nieznacznie różnić się od przedstawionego na ilustracji, co nie wpływa na jego podstawowe właściwości.

C4MS065120K

Kod producenta: C4MS065120K

Tranzystor N-MOSFET SiC; unipolarny; 1200V; 65mOhm; -40+175 st.C; THT; TO-247-4

cad-link
Ilość szt. Cena netto PLN/szt.
1+ 19,86
30+ 13,90
450+ 11,92
10350+ 10,92
Informacje
Producent
Kod
C4MS065120K
Kod producenta
C4MS065120K
Opakowanie
tuba
Ilość w opakowaniu
30
Waga netto (kg)
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Montaż
THT
Obudowa
TO247-4
Prąd drenu
30A
Typ
SiC
Temperatura pracy
-40+175 st.C
Moc rozpraszana
119W
Napięcie dren-źródło
1200V
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
65mOhm
Typ tranzystora
N-MOSFET
0
sztuk w magazynie
Wielokrotność: 1 szt.
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Opakowanie: tuba
Ilość w opakowaniu: 30
Kontakt z konsultantem
test
Opiekunem produktu jest Tomasz Popławski
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy
contact