Moduł półprzewodnikowy dyskretny SIC; 4mOhm, 1200V, 48 mm, GM4, Półmostek, Przemysłowy, Obudowa GM

Zdjęcia produktów mają charakter poglądowy. Rzeczywisty wygląd przedmiotu może nieznacznie różnić się od przedstawionego na ilustracji, co nie wpływa na jego podstawowe właściwości.

CAB004M12GM4 - Moduły tranzystorowe SiC

Kod producenta: CAB004M12GM4

Moduł półprzewodnikowy dyskretny SIC; 4mOhm, 1200V, 48 mm, GM4, Półmostek, Przemysłowy, Obudowa GM

cad-link
Ilość szt. Cena netto PLN/szt.
1+ 1 055,14
10+ 899,26
Pliki do pobrania
Pliki do pobrania
Informacje
Producent
Kod Maritex
CAB004M12GM4
Kod producenta
CAB004M12GM4
Waga netto (kg)
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Moc rozpraszana
584W
Montaż
THT
Napięcie dren-źródło
1200V
Obudowa
TO247-4
Polaryzacja
unipolarny
Prąd drenu
100A
Rezystancja w stanie przewodzenia
21mOhm
Temperatura pracy
-40+175 st.C
Typ
SiC
Typ tranzystora
N-MOSFET
0
sztuk w magazynie
Wielokrotność: 1 szt.
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Kontakt z konsultantem
test
Opiekunem produktu jest Tomasz Popławski
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy
contact