Zadzwoń: +48 58 6228900
Opinie
Zdjęcia produktów mają charakter poglądowy. Rzeczywisty wygląd przedmiotu może nieznacznie różnić się od przedstawionego na ilustracji, co nie wpływa na jego podstawowe właściwości.
CAB004M12GM4
Kod producenta: CAB004M12GM4
Moduł półprzewodnikowy dyskretny SIC; 4mohm, 1200V, 48 mm, GM4, Półmostek, Przemysłowy,Pakiety GM
| Ilość szt. | Cena netto PLN/szt. |
|---|---|
| 1+ | 799,70 |
Pliki do pobrania
Pliki do pobrania
Informacje
Dane techniczne
Montaż
THT
Obudowa
TO247-4
Prąd drenu
100A
Typ
SiC
Temperatura pracy
-40+175 st.C
Moc rozpraszana
584W
Napięcie dren-źródło
1200V
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
21mOhm
Typ tranzystora
N-MOSFET
Wielokrotność: 1 szt.
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Kontakt z konsultantem
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy
