Kondensatory bezpieczeństwa; MURATA; DE1E3KX102MN5AA01; 1 nF; 20 %; Radial; Through Hole

Kondensatory bezpieczeństwa; MURATA; DE1E3KX222MN4AN01F; 2.2 nF; 20 %; Radial; Through Hole

Kondensatory bezpieczeństwa; MURATA; DE1E3RA102MN4AN01F; 1 nF; 20 %; 10 mm

Kondensatory bezpieczeństwa; MURATA; DE1E3RA222MN4AN01F; 2.2 nF; 20 %; 12 mm

Kondensatory bezpieczeństwa; MURATA; DE2E3KH222MN3A; 2.2 nF; 20 %; Radial; Through Hole

Kondensatory bezpieczeństwa; MURATA; DE2E3KY222MN3AM02F; 2.2 nF; 20 %; Radial; Through Hole

Kondensatory bezpieczeństwa; MURATA; DE2E3KY472MN2AM01F; 4.7 nF; 20 %; Radial; Through Hole

Kondensatory bezpieczeństwa; MURATA; DE2E3KY472MN3AM02F; 4.7 nF; 20 %; Radial; Through Hole

Kondensatory bezpieczeństwa; MURATA; DE2E3SA472MN2AT01F; 4.7 nF; 20 %; 13 mm

Kondensatory bezpieczeństwa; MURATA; DE6E3KJ102MN3A; 1 nF; 20 %; Radial; Through Hole

Produkty do kondycjonowania sygnałów; TDK; DEA166200BT-2356A3; 7.25 GHz

Prostowniki mostkowe; VISHAY; DF02S-E3/77; 3.63 mm; 200 V; 4; 5 µA

Prostowniki mostkowe; VISHAY; DF08M-E3/45; 3.3 mm; 800 V; 4; 5 µA

Prostowniki mostkowe; VISHAY; DF08S-E3/77; 3.63 mm; 800 V; 4; 5 µA

Prostowniki mostkowe; VISHAY; DF10M-E3/45; 5.33 mm; 1 kV; 4; 5 µA

Prostowniki mostkowe; VISHAY; DF10S-E3/77; 3.63 mm; 1 kV; 4; 5 µA

Diody ochronne ESD / diody TVS; TOSHIBA; DF5A6.8LJE, LM; 5 V; 6.5 V; Surface Mount

Cewki indukcyjne mocy – SMD; MURATA; DFE18SAN1R0ME0L; 1 µH; 1 MHz; 20 %; 800 µm

Cewki indukcyjne mocy – SMD; MURATA; DFE201210U-1R5M=P2; 1.5 µH; 1 MHz; 20 %; 1 mm

Cewki indukcyjne mocy – SMD; MURATA; DFE201610E-1R0M=P2; 1 µH; 1 MHz; 20 %; 1 mm

Cewki indukcyjne mocy – SMD; MURATA; DFE201610E-2R2M=P2; 2.2 µH; 1 MHz; 20 %; 1 mm

Cewki indukcyjne mocy – SMD; MURATA; DFE201612E-2R2M=P2; 2.2 µH; 1 MHz; 1.2 mm

Cewki indukcyjne mocy – SMD; MURATA; DFE201612E-4R7M=P2; 4.7 µH; 1 MHz; 1.2 mm

Cewki indukcyjne mocy – SMD; MURATA; DFE201612E-R24M=P2; 240 nH; 1 MHz; 1.2 mm

Cewki indukcyjne mocy – SMD; MURATA; DFE201612E-R47M=P2; 470 nH; 1 MHz; 20 %; 1.2 mm

Cewki indukcyjne mocy – SMD; MURATA; DFE201612P-1R0M=P2; 1 µH; 54 mOhm; 1 MHz; 20 %

Cewki indukcyjne mocy – SMD; MURATA; DFE252012F-1R0M=P2; 1 µH; 40 mOhm; 1 MHz; 20 %

Cewki indukcyjne mocy – SMD; MURATA; DFE252012F-2R2M=P2; 2.2 µH; 82 mOhm; 1 MHz; 20 %

Cewki indukcyjne mocy – SMD; MURATA; DFE252012F-4R7M=P2; 4.7 µH; 190 mOhm; 1 MHz; 20 %

Cewki indukcyjne mocy – SMD; MURATA; DFE252012F-R47M=P2; 470 nH; 23 mOhm; 1 MHz; 20 %

Cewki indukcyjne mocy – SMD; MURATA; DFE252012P-1R0M=P2; 1 µH; 42 mOhm; 1 MHz; 20 %

Cewki indukcyjne mocy – SMD; MURATA; DFE252012P-2R2M=P2; 2.2 µH; 84 mOhm; 1 MHz; 20 %

Cewki indukcyjne mocy – SMD; MURATA; DFE252012PD-R47M=P2; 470 nH; 1 MHz; 20 %; 1.2 mm

Cewki indukcyjne mocy – SMD; MURATA; DFE2HCAH2R2MJ0L; 2.2 µH; 1 MHz; 20 %; 1.2 mm

Cewki indukcyjne mocy – SMD; MURATA; DFE322512F-1R0M=P2; 1 µH; 1 MHz; 20 %; 1.2 mm

Cewki indukcyjne mocy – SMD; MURATA; DFE322512F-2R2M=P2; 2.2 µH; 1 MHz; 20 %; 1.2 mm

Układy scalone Analog Switch; VISHAY; DG201BDJ-E3; 16; 4; PDIP; 470 mW

Układy scalone Analog Switch; VISHAY; DG201BDY-E3; 16; 4; SOIC; 640 mW

Układy scalone Analog Switch; VISHAY; DG201BDY-T1-E3; 16; 4; SOIC; 640 mW

Układy scalone Analog Switch; VISHAY; DG211BDY-T1-E3; 16; 4; SOIC N; 640 mW

Układy scalone Analog Switch; VISHAY; DG212BDQ-T1-E3; 16; 4; TSSOP; 640 mW

Układy scalone Analog Switch; VISHAY; DG212BDY-E3; 16; 4; SOIC N; 640 mW

Układy scalone Analog Switch; VISHAY; DG212BDY-T1-E3; 16; 4; SOIC N; 640 mW

Układy scalone Analog Switch; VISHAY; DG213DQ-T1-E3; 16; 4; TSSOP; 500 mW

Układy scalone Analog Switch; VISHAY; DG2750DN-T1-E4; 10; 2; 208 mW; 1.8 V - 5.5 V

Układy scalone Analog Switch; VISHAY; DG308BDY-T1-E3; 16; 4; SOIC; 640 mW

Układy scalone Analog Switch; VISHAY; DG309BDY-T1-E3; 16; 4; SOIC; 640 mW

Układy scalone Analog Switch; VISHAY; DG403DY-E3; 16; 2; SOIC; 600 mW

Układy scalone Analog Switch; VISHAY; DG403DY-T1-E3; 16; 2; SOIC; 600 mW

Układy scalone do przełączników multipleksowych; VISHAY; DG408DJ-E3; 16; 1; 13 V - 44 V; 8