Elementy

Nadajniki/odbiorniki podczerwieni; VISHAY; TFDU4101-TR3; 115.2 kbps; 300 ns; 4.7 mm; Lead Free

Nadajniki/odbiorniki podczerwieni; VISHAY; TFDU4101-TT3; 115.2 kbps; 300 ns; 4.9 mm; Lead Free

Cewki indukcyjne mocy – SMD; TDK; TFM201610ALMA1R0MTAA; 1 µH; 60 mOhm; 1 MHz; 20 %

Cewki indukcyjne mocy – SMD; TDK; TFM201610ALMA2R2MTAA; 2.2 µH; 152 mOhm; 1 MHz; 20 %

Cewki indukcyjne mocy – SMD; TDK; TFM201610GHM-2R2MTAA; 2.2 µH; 152 mOhm; 1 MHz; 20 %

Cewki indukcyjne mocy – SMD; TDK; TFM252012ALMA1R0MTAA; 1 µH; 42 mOhm; 2 mm

Cewki indukcyjne mocy – SMD; TDK; TFM252012ALMA2R2MTAA; 2.2 µH; 84 mOhm; 2 mm

Cewki indukcyjne mocy – SMD; TDK; TFM252012ALMA4R7MTAA; 4.7 µH; 200 mOhm; 2 mm

Cewki indukcyjne mocy – SMD; TDK; TFM252012ALVA3R3MTAA; 3.3 µH; 140 mOhm; 2 mm

Cewki indukcyjne mocy – SMD; TDK; TFM322512ALMA100MTAA; 10 µH; 360 mOhm; 2.5 mm

Cewki indukcyjne mocy – SMD; TDK; TFM322512ALMA1R0MTAA; 1 µH; 37 mOhm; 2.5 mm

Cewki indukcyjne mocy – SMD; TDK; TFM322512ALMA4R7MTAA; 4.7 µH; 151 mOhm; 2.5 mm

Cewki indukcyjne mocy – SMD; TDK; TFM322512ALVA100MTAA; 10 µH; 360 mOhm; 2.5 mm

Termistory PTC; VISHAY; TFPT0603L1001FM; 0603; 550 µm; Surface Mount; 2

Pamięć FLASH-NAND; 32GB ; e-MMC; 200MHz; -25+85st.C; SMD; FBGA-153

Transoptory; ON SEMICONDUCTOR; TIL117M; Through Hole; 855 mg; DIP; 60 mA

Tranzystory bipolarne (BJT); ON SEMICONDUCTOR; TIP122G; NPN; 100 V; 3; 5 A

STMICROELECTRONICS; TIP122

STMICROELECTRONICS; TIP125

Tranzystory bipolarne (BJT); ON SEMICONDUCTOR; TIP127G; PNP; 100 V; 3; 5 A

STMICROELECTRONICS; TIP3055

STMICROELECTRONICS; TIP35C

Tranzystory bipolarne (BJT); ON SEMICONDUCTOR; TIP41CG; NPN; 100 V; 3; 6 A

Tranzystory bipolarne (BJT); ON SEMICONDUCTOR; TIP50G; NPN; 400 V; 3; 1 A

Urządzenia tyrystorowe do ochrony przeciwprzepięciowej – TSPD; BOURNS; TISP4015H1BJR-S; 85 pF; 5 A; 50 mA; Surface Mount

Urządzenia tyrystorowe do ochrony przeciwprzepięciowej – TSPD; BOURNS; TISP4015L1AJR-S; 30 pF; 5 A; 50 mA; Surface Mount

Urządzenia tyrystorowe do ochrony przeciwprzepięciowej – TSPD; BOURNS; TISP4015L1BJR-S; 30 pF; 5 A; 50 mA; Surface Mount

Urządzenia tyrystorowe do ochrony przeciwprzepięciowej – TSPD; BOURNS; TISP4040H1BJR-S; 61 pF; 5 A; 50 mA; Surface Mount

Urządzenia tyrystorowe do ochrony przeciwprzepięciowej – TSPD; BOURNS; TISP4040L1BJR-S; 24 pF; 5 A; 50 mA; Surface Mount

Urządzenia tyrystorowe do ochrony przeciwprzepięciowej – TSPD; BOURNS; TISP4240M3BJR-S; 50 pF; 5 A; 350 mA; Surface Mount

Urządzenia tyrystorowe do ochrony przeciwprzepięciowej – TSPD; BOURNS; TISP4350M3BJR-S; 83 pF; 5 A; 350 mA; Surface Mount

Urządzenia tyrystorowe do ochrony przeciwprzepięciowej – TSPD; BOURNS; TISP4395M3BJR-S; 83 pF; 5 A; 350 mA; Surface Mount

Urządzenia tyrystorowe do ochrony przeciwprzepięciowej – TSPD; BOURNS; TISP4P020L1NR-S; 6 pF; 30 A; 10 mA; Surface Mount

Podzespoły SCR; BOURNS; TISP61089BDR-S; SOIC; 150 mA; Surface Mount; 170 V

Podzespoły SCR; BOURNS; TISP61089QBDR-S; SOIC; 150 mA; 8

Układy MOSFET; TOSHIBA; TJ15S06M3L(T6L1, NQ; 60 V; 15 A; 10 V; 3

Układy MOSFET; TOSHIBA; TJ50S06M3L(T6L1, NQ; 60 V; 50 A; 10 V; 3

Wzmacniacze operacyjne; STMICROELECTRONICS; TJM4558CDT; SO; 90 dB; 5.5 MHz; 5 mV

Układy MOSFET; TOSHIBA; TK10A60D(STA4, Q, M); 600 V; 10 A; 30 V; 45 W

Układy MOSFET; TOSHIBA; TK2P60D(TE16L1, NQ); 600 V; 2 A; 30 V; 60 W

Układy MOSFET; TOSHIBA; TK5P50D(T6RSS-Q); 500 V; 5 A; 30 V; 80 W

Układy MOSFET; TOSHIBA; TK72E12N1, S1X; 179 A; 20 V; 255 W

Układy MOSFET; TOSHIBA; TK90S06N1L, LQ; 60 V; 90 A; 10 V; 5.2 mOhm

Wzmacniacze operacyjne; STMICROELECTRONICS; TL062CDT; SO; 70 dB; 1 MHz; 6 mV

Wzmacniacze operacyjne; STMICROELECTRONICS; TL064IDT; SOIC; 80 dB; 1 MHz; 6 mV

Wzmacniacze operacyjne; STMICROELECTRONICS; TL082IDR; SOIC; 75 dB; 3 MHz; 3 mV

Wzmacniacze operacyjne; STMICROELECTRONICS; TL082IDT; SO; 80 dB; 4 MHz; 10 mV

Odniesienia napięcia; STMICROELECTRONICS; TL431ACDT; SO; 1 mA; Lead Free; 37 V

Odniesienia napięcia; NEXPERIA; TL431AFDT, 215; TO-236-3; 600 µA; Lead Free; 37 V

Odniesienia napięcia; NEXPERIA; TL431AFDT; TO-236-3; 600 µA; Lead Free; 37 V