Elementy

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR08X1102FTL; 11 kOhm; 1 %; 100 ppm/°C; 125 mW

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR08X1103FTL; 110 kOhm; 0805; 1 %; Metal Oxide

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR08X1201FTL; 1.2 kOhm; 0805; 1 %; Metal Oxide, Thick Film

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR08X1501FTL; 1.5 kOhm; 0805; 1 %; Metal Oxide, Thick Film

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR08X1601FTL; 1.6 kOhm; 1 %; 100 ppm/°C; 125 mW

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR08X2001FTL; 2 kOhm; 0805; 1 %; Metal Oxide, Thick Film

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR08X2002FTL; 20 kOhm; 0805; 1 %; Thick Film

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR08X2003FTL; 200 kOhm; 0805; 1 %; Thick Film

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR08X2201FTL; 2.2 kOhm; 0805; 1 %; Thick Film

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR08X22R0FTL; 22 Ohm; 0805; 1 %; Metal Oxide, Thick Film

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR08X2701FTL; 2.7 kOhm; 0805; 1 %; Metal Oxide, Thick Film

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR08X3301FTL; 3.3 kOhm; 0805; 1 %; Thick Film

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR08X3302FTL; 33 kOhm; 0805; 1 %; Metal Oxide, Thick Film

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR08X4322FTL; 43.2 kOhm; 0805; 1 %; Thick Film

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR08X4700FTL; 470 Ohm; 0805; 1 %; Metal Oxide, Thick Film

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR08X4701FTL; 4.7 kOhm; 0805; 1 %; Metal Oxide, Thick Film

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR08X4702FTL; 47 kOhm; 0805; 1 %; Metal Oxide, Thick Film

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR08X5601FTL; 5.6 kOhm; 0805; 1 %; Metal Oxide, Thick Film

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR08X6201FTL; 6.2 kOhm; 1 %; Thick Film; 100 ppm/°C

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR08X6800FTL; 680 Ohm; 1 %; Thick Film; 100 ppm/°C

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR08X6801FTL; 6.8 kOhm; 0805; 1 %; Metal Oxide, Thick Film

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR08X7500FTL; 750 Ohm; 0805; 1 %; Thick Film

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR08X8200FTL; 820 Ohm; 0805; 1 %; Thick Film

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR08X9101FTL; 9.1 kOhm; 1 %; 100 ppm/°C; 125 mW

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR12W3304FTL; 3.3 MOhm; 100 ppm/°C; 250 mW

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR12X1000FTL; 100 Ohm; 1206; 1 %; Metal Oxide, Thick Film

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR12X1001FTL; 1 kOhm; 1206; 1 %; Metal Oxide, Thick Film

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR12X1002FTL; 10 kOhm; 1206; 1 %; Metal Oxide, Thick Film

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR12X1004FTL; 1 MOhm; 1206; 1 %; Thick Film

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR12X10R0FTL; 10 Ohm; 1206; 1 %; Metal Oxide, Thick Film

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR12X1201FTL; 1.2 kOhm; 1206; 1 %; Metal Oxide

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR12X1501FTL; 1.5 kOhm; 1206; 1 %; Thick Film

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR12X1542FTL; 15.4 kOhm; 250 mW

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR12X1742FTL; 17.4 kOhm; 1206; 1 %; Thick Film

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR12X2001FTL; 2 kOhm; 1206; 1 %; Metal Oxide

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR12X2700FTL; 270 Ohm; 1 %; 100 ppm/°C; 250 mW

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR12X3303FTL; 330 kOhm; 1206; 1 %; Thick Film

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR12X3603FTL; 360 kOhm; 1206; 1 %; Metal Oxide

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR12X4703FTL; 470 kOhm; 1206; 1 %; Metal Oxide, Thick Film

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR12X5102FTL; 51 kOhm; 1206; 1 %; Metal Oxide

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR12X5600FTL; 560 Ohm; 1206; 1 %; Metal Oxide

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR12X5602FTL; 56 kOhm; 1206; 1 %; Thick Film

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR12X5603FTL; 560 kOhm; 1206; 1 %; Thick Film

Rezystory grubowarstwowe – SMD; WALSIN; WR12X7500FTL; 750 Ohm; 1 %; 100 ppm/°C; 250 mW

Rezystory drutowe – SMD; VISHAY; WSC2515R2000FEA; 2515; Wirewound; Tin; 3.81 mm

Rezystory current sense - SMD; VISHAY; WSHM2818R0100FEA; 10 mOhm; 2818; 75 ppm/°C; 1 %

Rezystory current sense - SMD; VISHAY; WSK12161L000FEA; 1 mOhm; 50 ppm/°C; 1 %; Metal Element

Rezystory current sense - SMD; VISHAY; WSL0603R0200FEA; 20 mOhm; 0603; 110 ppm/°C; 1 %

Rezystory current sense - SMD; VISHAY; WSL12068L000FEA; 8 mOhm; 1206; 75 ppm/°C; 1 %

Rezystory current sense - SMD; VISHAY; WSL1206R0120FEA18; 12 mOhm; 1206; 75 ppm/°C; 1 %