Elementy

Układy MOSFET; VISHAY; SI7478DP-T1-E3; 60 V; 20 V; 1.9 W; 115 ns

Układy MOSFET; VISHAY; SI7478DP-T1-GE3; 60 V; 20 V; 1.9 W; 115 ns

Układy MOSFET; VISHAY; SI7489DP-T1-E3; -100 V; -7.8 A; 20 V; 5.2 W

Układy MOSFET; VISHAY; SI7611DN-T1-GE3; -40 V; -9.3 A; 20 V; 3.7 W

Układy MOSFET; VISHAY; SI7617DN-T1-GE3; -30 V; -13.9 A; 25 V; 3.7 W

Układy MOSFET; VISHAY; SI7812DN-T1-GE3; 75 V; 20 V; 3.8 W; 35 ns

Układy MOSFET; VISHAY; SI7818DN-T1-E3; 150 V; 2.2 A; 20 V; 1.5 W

Układy MOSFET; VISHAY; SI7850DP-T1-E3; 60 V; 6.2 A; 20 V; 1.8 W

Układy MOSFET; VISHAY; SI7852ADP-T1-GE3; 80 V; 12 A; 20 V; 5 W

Układy MOSFET; VISHAY; SI7858BDP-T1-GE3; 12 V; 40 A; 8 V; 5 W

Układy MOSFET; VISHAY; SI7884BDP-T1-GE3; 40 V; 20 V; 4.6 W; 38 ns

Układy MOSFET; VISHAY; SI7938DP-T1-GE3; 40 V; 18.5 A; 20 V; 3.5 W

Układy MOSFET; VISHAY; SI7942DP-T1-E3; 100 V; 3.8 A; 20 V; 1.4 W

Układy MOSFET; VISHAY; SI7949DP-T1-GE3; 20 V; 1.5 W; 65 ns; 8 ns

Układy MOSFET; VISHAY; SI7997DP-T1-GE3; -30 V; -20.8 A; 20 V; 3.5 W

Układy MOSFET; VISHAY; SI8483DB-T2-E1; -12 V; -16 A; 10 V; 2.77 W

Układy MOSFET; VISHAY; SI8800EDB-T2-E1; 20 V; 2.8 A; 8 V; 900 mW

Nadajniko-odbiornik do magistrali; VISHAY; SI9241AEY-T1-E3; 8; 1; Lead Free; Transceiver

Układy MOSFET; VISHAY; SI9407BDY-T1-GE3; -60 V; -3.2 A; 20 V; 2.4 W

Układy MOSFET; VISHAY; SI9433BDY-T1-E3; 12 V; 1.3 W; 65 ns; 40 ns

Układy MOSFET; VISHAY; SI9435BDY-T1-E3; -30 V; 4.1 A; 20 V; 1.3 W

Układy MOSFET; VISHAY; SI9926CDY-T1-E3; 20 V; 8 A; 12 V; 25 ns

Układy MOSFET; VISHAY; SI9933CDY-T1-GE3; -20 V; -4 A; 12 V; 2 W

Układy MOSFET; VISHAY; SI9945BDY-T1-GE3; 60 V; 4.3 A; 20 V; 2 W

Układy MOSFET; VISHAY; SIA431DJ-T1-GE3; -20 V; -12 A; 8 V; 3.5 W

Układy MOSFET; VISHAY; SIA441DJ-T1-GE3; -40 V; -6.6 A; 20 V; 3.5 W

Układy MOSFET; VISHAY; SIA471DJ-T1-GE3; 11.5 mOhm

Układy MOSFET; VISHAY; SIA517DJ-T1-GE3; 12 V; 4.5 A; 8 V; 1.9 W

Układy MOSFET; VISHAY; SIA519EDJ-T1-GE3; 20 V; 4.5 A; 12 V; 1.9 W

Układy MOSFET; VISHAY; SIA921EDJ-T1-GE3; -20 V; -4.5 A; 12 V; 1.9 W

Układy MOSFET; VISHAY; SIA931DJ-T1-GE3; -30 V; -4.3 A; 20 V; 1.9 W

Układy MOSFET; VISHAY; SIA975DJ-T1-GE3; 12 V; 4.5 A; 8 V; 1.9 W

Impulsowe regulatory napięcia; VISHAY; SIC401ACD-T1-GE3; 2; 15 A; 850 µm; 5.5 V

Impulsowe regulatory napięcia; VISHAY; SIC402BCD-T1-GE3; 10 A; 850 µm; 5.5 V; 3 V

Impulsowe regulatory napięcia; VISHAY; SIC461ED-T1-GE3; 1; 10 A; 800 µm; 55.2 V

Impulsowe regulatory napięcia; VISHAY; SIC462ED-T1-GE3; 1; 6 A; 800 µm; 48 V

Impulsowe regulatory napięcia; VISHAY; SIC463ED-T1-GE3; 4 A; 55.2 V

Impulsowe regulatory napięcia; VISHAY; SIC464ED-T1-GE3; 2 A; 55.2 V

Impulsowe regulatory napięcia; VISHAY; SIC467ED-T1-GE3; 1; 6 A; 800 µm; 55.2 V

Impulsowe regulatory napięcia; VISHAY; SIC471ED-T1-GE3; 1; 12 A; 800 µm; 50.6 V

Impulsowe regulatory napięcia; VISHAY; SIC472ED-T1-GE3; 1; 8 A; 800 µm; 50.6 V

Impulsowe regulatory napięcia; VISHAY; SIC474ED-T1-GE3; 3 A; 50.6 V

Sterowniki bramki; VISHAY; SIC779CD-T1-GE3; 1; 3 V - 16 V; 40; Surface Mount

Układy MOSFET; VISHAY; SIDR626LDP-T1-RE3; 60 V; 45.6 A; 20 V; 6.25 W

Układy MOSFET; VISHAY; SIHFR1N60A-GE3; 1.4 A; 30 V; 36 W; 3

Układy MOSFET; VISHAY; SIHG20N50C-E3; 500 V; 20 A; 30 V; 250 W

Przewód do zacisków płyty; SIN-21T-1.8S; JST; 22 AWG; Crimp; 18 AWG

Przewód do zacisków płyty; SIN-21T-1.8; JST; 18 AWG; 22 AWG

Przewód do zacisków płyty; SIN-41T-2.4S; JST; 18 AWG; 16 AWG

Przewód do zacisków płyty; SIN-61T-2.6S; JST