Listwa stykowa do PCB; w rastrze 2.54mm; 1x40 styków; montaż: SMD; męska; prosta; jednorzędowe

Listwa stykowa do PCB; w rastrze 2.54mm; 1x20 styków; montaż: SMD; męska; prosta; jednorzędowe; 2-poziomowa

Diody Zenera; NEXPERIA; PLVA650A, 215; 3

Diody Zenera; NEXPERIA; PLVA653A, 215; 3; 5.3 V; 3.5 µA; 250 mW

Cewki indukcyjne mocy – SMD; BOURNS; PM2110-151K-RC; 150 µH; 49 mOhm; 1 kHz; 10 %

Tablet przemysłowy 7" WSXGA 1280x800 400 nitów; odporny na upadki; pył i wodę; IP65; temp. pracy -20+50st.C; Intel Atom N2600 1.6GHz; RAM 2GB DDR3; SSD 32GB; Windows Emb Std 7 ML; WiFi; Bluetooth; GPS; USB2.0; microUSB; LAN; RS232; microSD; bat.3000mAh

Tablet przemysłowy RuggON Blaxtone PM-311B 7" WXGA (1024 x 600)Fully Rugged - odporny na wstrząsy; upadki; zapylenie; zalanie i ekstremalne temperatury

Cewki indukcyjne mocy – SMD; BOURNS; PM3340-221M-RC; 220 µH; 440 mOhm; 100 kHz; 20 %

Dławiki i filtry typu zwykłego; BOURNS; PM3700-80-RC; 11.43 mm; 250 mOhm; 21.9 mm; 21.59 mm

Układ scalony interfejsu PCI; MICROCHIP; PM43052B1-F3EI; South Korea; 2049-07-22; 2021-07-22

Tablet przemysłowy Rextorm PM-521 10.1" WUXGA (1920 x 1200)Fully Rugged - odporny na wstrząsy; upadki; zapylenie; zalanie i ekstremalne temperatury

Tablet przemysłowy 10.1" WUXGA 1920x1200 1000nitów; odporny na upadki; pył i wodę; IP65; temp.pracy -20+50st.C; Intel Atom E3827 1.75GHz; RAM 4GB DDR3L; 120GB SSD; Win Emb 8.1 Ind; WiFi; Bluetooth; GPS; 2xUSB; LAN; RS232; czytnik kodów 2D; bat.4500mAh

Tablet przemysłowy RuggPAD PM-522 10.4" XGA (10-24 x 768)Fully Rugged - odporny na wstrząsy; upadki; zapylenie; zalanie i ekstremalne temperatury

Tablet przemysłowy 10.4" XGA 10-24x768 350nitów; odporny na upadki; pył i wodę; IP65; temp. pracy: -20+50st.C; Intel Atom E3827 1.75GHz; RAM 4GB DDR3L; 64GB SSD; Windows 7 Pro PL 64bit; WiFi; Bluetooth; GPS; NFC; USB3.0; USB2.0; LAN; bateria 3800mAh

Układy scalone do procesorów i kontrolerów sieci; MICROCHIP; PM5450A-FEI; South Korea

Układy scalone do procesorów i kontrolerów sieci; MICROCHIP; PM5980B-FEI; South Korea, Taiwan

Układ scalony interfejsu PCI; MICROCHIP; PM8531B-F3EI; South Korea; 2044-01-23

Tranzystory bipolarne - BJT; NEXPERIA; PMBT2222A, 215; NPN; 3

Tranzystory bipolarne - BJT; NEXPERIA; PMBT3904, 215; NPN; 3

Tranzystory bipolarne - BJT; NEXPERIA; PMBT3904, 235; NPN; 3; 40 V; 200 mA

Tranzystory bipolarne - BJT; NEXPERIA; PMBT3906, 215; PNP; 3; -40 V; -200 mA

Tranzystory bipolarne - BJT; NEXPERIA; PMBT3946YPN, 115; NPN, PNP; 6; 40 V; 200 mA

Tranzystory bipolarne - BJT; NEXPERIA; PMBT4401, 215; NPN; 3

Tranzystory bipolarne - BJT; NEXPERIA; PMBT4403, 215; PNP; 3

Tranzystory bipolarne - BJT; NEXPERIA; PMBT5551, 215; NPN; 3

Tranzystory bipolarne - BJT; NEXPERIA; PMBTA06, 215; NPN; 3

Tranzystory bipolarne - BJT; NEXPERIA; PMBTA45, 215; NPN; 3; 500 V; 150 mA

Tranzystory bipolarne - BJT; NEXPERIA; PMBTA56, 215; PNP; 3; 250 mW

Tranzystor: PNP-Darlington; bipolarny; -30V; -0.5A; 0.25W; -65+150 st.C; SMD; SOT23

Tranzystory bipolarne - BJT; NEXPERIA; PMBTA92, 215; PNP; 3; -300 V; -200 mA

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 4A; 2.5ohm; 95W; -55+150 st.C; SMD; PPAK5X6

Układy MOSFET; NEXPERIA; PMCM6501VNEZ; 12 V; 7.3 A; 15 mOhm

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 4A; 2.6ohm; 42W; -55+150 st.C; SMD; TO252(DPAK)

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 4A; 2.4ohm; 70W; -55+150 st.C; SMD; TO252(DPAK)

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 700V; 4A; 2.8ohm; 42W; -55+150 st.C; SMD; TO252(DPAK)

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 700V; 4A; 2.7ohm; 70W; -55+150 st.C; SMD; TO252(DPAK)

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 3.2A; 3.9ohm; 94W; -55+150 st.C; SMD; TO252(DPAK)

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 5A; 1.5ohm; 52W; -55+150 st.C; SMD; TO252(DPAK)

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 7A; 1.2ohm; 77W; -55+150 st.C; SMD; TO252(DPAK)

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 8A; 1.2ohm; 90W; -55+150 st.C; SMD; TO252(DPAK)

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 9A; 0.24ohm; 44W; -55+150 st.C; SMD; TO252(DPAK)

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 9A; 0.8ohm; 89W; -55+150 st.C; SMD; TO252(DPAK)

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 18A; 0.14ohm; 101W; -55+150 st.C; SMD; TO252(DPAK)

Układy MOSFET; NEXPERIA; PMDPB30XN, 115; 20 V; 4 A; 650 mV; 4 ns

Układy MOSFET; NEXPERIA; PMDT290UNE, 115; 20 V; 800 mA; 8 V; 390 mW

Tranzystor: N+N-MOSFET; unipolarny; 20V; 40A; 0.006ohm; 27W; dioda ESD; -55+150 st.C; SMD; DFN3X3

Tranzystor: N+N-MOSFET; unipolarny; 20V; 20A; 0.0082ohm; 10.8W; dioda ESD; -55+150 st.C; SMD; DFN2X3-6

Prostowniki i diody Schottky'ego; NEXPERIA; PMEG050V150EPDZ; Surface Mount; 15 A; 50 V

Prostowniki i diody Schottky'ego; NEXPERIA; PMEG10010ELRX; 1 A; Surface Mount; 150 nA; 1 A

Prostowniki i diody Schottky'ego; NEXPERIA; PMEG10020AELRX; 2 A; Surface Mount; 70 nA; 2 A