18.05.2026

Nowy Tranzystor Mocy MOSFET

Nowy produkt został zaprojektowany z myślą o zapewnieniu wyjątkowej wydajności, łącząc bardzo niską rezystancję w stanie włączenia RDS(on), szybkie przełączanie oraz niski ładunek bramki - wszystko w kompaktowej, oszczędzającej miejsce konstrukcji.

Najważniejsze cechy:

Technologia super-junction
Bardzo niska rezystancja w stanie przewodzenia
Szybkie przełączanie
Niski ładunek bramki

Zastosowanie:

Oświetlenie LED / LCD / PDP TV oraz monitorów
Systemy solarne / odnawialne źródła energii / system UPS / mikroinwerterowy
Ładowarki
Zasilacze

W poniższej tabeli zestawienie najważniejszych parametrów:

Symbol producenta	Obudowa	Typ tranzystora	Napięcie dren-źródło	Napięcie bramka-źródło	Prąd drenu w impulsie	Rezystancja w stanie przewodzenia	Moc rozpraszana
			VDS (V)	VGS± (V)	ID (A)	RDS(ON) (Ω)	PD (W)
HKTS13N65	TOLL 4	N	650	30	13	0.3	26

Zapraszamy do kontaktu i składania zamówień: tel. +48 58 781 33 55, [email protected]

Podobne artykuły

Wszystkie nowości

Czytaj dalej