Tranzystory
Tranzystory to półprzewodnikowe elementy elektroniczne służące do wzmacniania sygnałów, przełączania prądu oraz sterowania innymi układami. Są podstawowym składnikiem układów scalonych oraz układów logicznych.
Rodzaje tranzystorów:
- Tranzystory bipolarne (BJT – Bipolar Junction Transistor)
- Składają się z trzech warstw półprzewodnikowych (NPN lub PNP).
- Działają poprzez sterowanie prądem bazy, który reguluje większy przepływ prądu między kolektorem a emiterem.
- Stosowane w wzmacniaczach audio, układach logicznych i sterownikach mocy.
- Tranzystory IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
- Łączą zalety tranzystorów MOSFET i BJT, oferując wysoką wydajność i duże prądy przewodzenia.
- Znajdują zastosowanie w przekształtnikach mocy, falownikach i sterownikach silników o wysokiej mocy.
- Tranzystory unipolarne (MOSFET – Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
- Działają na zasadzie pola elektrycznego, które steruje przepływem prądu między drenem a źródłem.
- Wyróżniamy MOSFET-y z kanałem N i P, które są szeroko stosowane w elektronice cyfrowej i energoelektronice.
- Popularne w zasilaczach impulsowych, układach cyfrowych oraz sterowaniu silnikami.
Zastosowanie Tranzystorów
Tranzystory są nieodzownym elementem w wielu gałęziach technologii, takich jak:
- Zasilacze impulsowe – stosowane w konwersji energii i regulacji napięcia.
- Wzmacniacze audio – poprawiają jakość sygnału dźwiękowego w urządzeniach audio.
- Sterowanie silnikami i robotyka – kluczowe elementy w automatyce przemysłowej i motoryzacji.
- Systemy komunikacyjne – stosowane w telefonii, radiu i technologii 5G.
- Przemysł energoelektroniczny – wykorzystywane w falownikach, przekształtnikach i systemach fotowoltaicznych.
Dlaczego Warto Wybrać Tranzystory?
✔ Wysoka wydajność energetyczna – kluczowe w systemach energooszczędnych.
✔ Szeroka kompatybilność – dostępne w różnych wariantach dopasowanych do specyficznych zastosowań.
✔ Szybkość przełączania – idealne do układów impulsowych i cyfrowych.
✔ Wszechstronność zastosowań – od prostych układów sterowania po zaawansowaną automatyzację przemysłową.
Wyświetl:

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 20V; 7.9A; 0.028ohm; 2.7W; -55+150 st.C; SMD; TSOP6
Kod producenta: SI3460DDV-T1-GE3
Producent: VISHAY
| Ilość szt. | Cena netto PLN/szt. |
|---|---|
| 1+ | 1,45 |
| 25+ | 1,378 |
| 100+ | 1,305 |
| 500+ | 1,233 |
| 3000+ | 1,088 |
Wielokrotność: 1 szt.
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Opakowanie: rolka
Ilość w opakowaniu: 3000
Ilość
Razem 1,45 PLN netto

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 10A; 0.0135ohm; 2.5W; -55+150 st.C; SMD; SO8
Kod producenta: SI4410BDY-T1-E3
Producent: VISHAY
| Ilość szt. | Cena netto PLN/szt. |
|---|---|
| 1+ | 1,46 |
| 50+ | 1,35 |
| 250+ | 1,24 |
| 1000+ | 1,14 |
| 2500+ | 1,02 |
Wielokrotność: 1 szt.
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Opakowanie: rolka
Ilość w opakowaniu: 2500

Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -30V; -9A; 0,018ohm; 4.2W; -55+-150 st.C; SMD; SO8
Kod producenta: SI4435BDY-T1-GE3
Producent: VB SEMI
| Ilość szt. | Cena netto PLN/szt. |
|---|---|
| 1+ | 2,45 |
| 25+ | 2,33 |
| 100+ | 2,20 |
| 1000+ | 2,08 |
| 4000+ | 1,84 |
Wielokrotność: 1 szt.
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Opakowanie: rolka
Ilość w opakowaniu: 4000
Ilość
Razem 2,45 PLN netto

Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -20V; -13A; 20mohm; 3.5W; -55+-150 st.C; SMD; SO8
Kod producenta: SI4463BDY-T1-E3
Producent: VB SEMI
| Ilość szt. | Cena netto PLN/szt. |
|---|---|
| 1+ | 1,95 |
| 25+ | 1,85 |
| 100+ | 1,76 |
| 500+ | 1,66 |
| 4000+ | 1,37 |
Wielokrotność: 1 szt.
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Opakowanie: rolka
Ilość w opakowaniu: 4000
Ilość
Razem 1,95 PLN netto

Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -20V; -9.8A; 0.011ohm; 1.5W; -55+150 st.C; SMD; SO8
Kod producenta: SI4463BDY-E3
Producent: VISHAY
| Ilość szt. | Cena netto PLN/szt. |
|---|---|
| 1+ | 3,43 |
| 5+ | 3,24 |
| 25+ | 2,89 |
| 100+ | 2,63 |
| 500+ | 2,38 |
Wielokrotność: 1 szt.
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 21A; 0.033ohm; 19W; -65+150 st.C; SMD; SOT22
Kod producenta: SI7454DDP-T1-GE3
Producent: VISHAY
| Ilość szt. | Cena netto PLN/szt. |
|---|---|
| 1+ | 5,99 |
| 25+ | 5,69 |
| 100+ | 5,39 |
| 1000+ | 5,09 |
| 3000+ | 4,49 |
Wielokrotność: 1 szt.
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Opakowanie: rolka
Ilość w opakowaniu: 3000
Ilość
Razem 5,99 PLN netto

Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -20V; -35A; 0.007ohm; 52W; -55+150 st.C; SMD; PowerPAK1212-8
Kod producenta: SI7615ADN-T1-GE3
Producent: VISHAY
| Ilość szt. | Cena netto PLN/szt. |
|---|---|
| 1+ | 2,63 |
| 10+ | 2,06 |
| 50+ | 1,59 |
| 100+ | 1,42 |
| 500+ | 1,27 |
| 1000+ | 1,12 |
| 3000+ | 0,9391 |
| 6000+ | 0,9098 |
| 9000+ | 0,9061 |
Wielokrotność: 1 szt.
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Opakowanie: rolka
Ilość w opakowaniu: 3000

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 15A; 0.024ohm; 35.7W; -55+150 st.C; SMD; DFN5X6
Kod producenta: SI7850DP-T1-E3
Producent: VB SEMI
| Ilość szt. | Cena netto PLN/szt. |
|---|---|
| 1+ | 3,45 |
| 25+ | 3,28 |
| 100+ | 3,11 |
| 2500+ | 2,93 |
| 5000+ | 2,42 |
Wielokrotność: 1 szt.
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Opakowanie: rolka
Ilość w opakowaniu: 5000
Ilość
Razem 3,45 PLN netto

Tranzystor: 2xN-MOSFET; unipolarny; 20V; 8A; 0.018ohm; 2W; -55+150 st.C; SMD; SO8
Kod producenta: SI9926CDY-T1-GE3
Producent: VISHAY
| Ilość szt. | Cena netto PLN/szt. |
|---|---|
| 1+ | 4,85 |
| 10+ | 3,28 |
| 100+ | 2,39 |
| 250+ | 2,11 |
| 500+ | 1,92 |
| 1000+ | 1,75 |
| 2500+ | 1,55 |
| 5000+ | 1,41 |
| 7500+ | 1,34 |
Wielokrotność: 1 szt.
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Opakowanie: rolka
Ilość w opakowaniu: 2500

Tranzystor: 2xP-MOSFET; unipolarny; -12V; -4.8A; 0.035ohm; 1.1W; -55+150 st.C; SMD; SO8
Kod producenta: SI9934BDY-T1-E3
Producent: VISHAY
| Ilość szt. | Cena netto PLN/szt. |
|---|---|
| 1+ | 4,47 |
| 50+ | 3,84 |
| 250+ | 3,44 |
| 1000+ | 3,08 |
| 2500+ | 2,99 |
Wielokrotność: 1 szt.
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Opakowanie: rolka
Ilość w opakowaniu: 2500

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 20A; 0.0051ohm; 31.2W; -55+150 st.C; SMD; SO8
Kod producenta: SIRA14DP-T1-GE3
Producent: VISHAY
| Ilość szt. | Cena netto PLN/szt. |
|---|---|
| 1+ | 4,70 |
| 10+ | 4,47 |
| 100+ | 4,23 |
| 500+ | 4,00 |
| 3000+ | 3,53 |
Wielokrotność: 1 szt.
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.

MOSFET mocy, Kanał typu P, 30 V, 16 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, montaż powierzchniowy
Kod producenta: SISA35DN-T1-GE3
Producent: VISHAY
| Ilość szt. | Cena netto PLN/szt. |
|---|---|
| 1+ | 1,53 |
| 10+ | 1,31 |
| 25+ | 1,11 |
| 50+ | 0,9541 |
| 100+ | 0,8179 |
| 500+ | 0,5865 |
| 1000+ | 0,583 |
Wielokrotność: 1 szt.
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.