Tranzystory

Tranzystory to półprzewodnikowe elementy elektroniczne służące do wzmacniania sygnałów, przełączania prądu oraz sterowania innymi układami. Są podstawowym składnikiem układów scalonych oraz układów logicznych.

Rodzaje tranzystorów:

  1. Tranzystory bipolarne (BJT – Bipolar Junction Transistor)
    • Składają się z trzech warstw półprzewodnikowych (NPN lub PNP).
    • Działają poprzez sterowanie prądem bazy, który reguluje większy przepływ prądu między kolektorem a emiterem.
    • Stosowane w wzmacniaczach audio, układach logicznych i sterownikach mocy.
  2. Tranzystory IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
    • Łączą zalety tranzystorów MOSFET i BJT, oferując wysoką wydajność i duże prądy przewodzenia.
    • Znajdują zastosowanie w przekształtnikach mocy, falownikach i sterownikach silników o wysokiej mocy.
  3. Tranzystory unipolarne (MOSFET – Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
    • Działają na zasadzie pola elektrycznego, które steruje przepływem prądu między drenem a źródłem.
    • Wyróżniamy MOSFET-y z kanałem N i P, które są szeroko stosowane w elektronice cyfrowej i energoelektronice.
    • Popularne w zasilaczach impulsowych, układach cyfrowych oraz sterowaniu silnikami.

Zastosowanie Tranzystorów

Tranzystory są nieodzownym elementem w wielu gałęziach technologii, takich jak:

  • Zasilacze impulsowe – stosowane w konwersji energii i regulacji napięcia.
  • Wzmacniacze audio – poprawiają jakość sygnału dźwiękowego w urządzeniach audio.
  • Sterowanie silnikami i robotyka – kluczowe elementy w automatyce przemysłowej i motoryzacji.
  • Systemy komunikacyjne – stosowane w telefonii, radiu i technologii 5G.
  • Przemysł energoelektroniczny – wykorzystywane w falownikach, przekształtnikach i systemach fotowoltaicznych.
     

Dlaczego Warto Wybrać Tranzystory?

 Wysoka wydajność energetyczna – kluczowe w systemach energooszczędnych.
 Szeroka kompatybilność – dostępne w różnych wariantach dopasowanych do specyficznych zastosowań.
 Szybkość przełączania – idealne do układów impulsowych i cyfrowych.
 Wszechstronność zastosowań – od prostych układów sterowania po zaawansowaną automatyzację przemysłową.

Wyświetl:
Tranzystor N-MOSFET SiC; unipolarny; 1200V; 36mOhmTHT; TO-247-4
Ilość szt. Cena netto PLN/szt.
1+ 39,97
30+ 28,00
450+ 23,99
10350+ 22,01
0
sztuk w magazynie
Wielokrotność: 1 szt.
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Opakowanie: tuba
Ilość w opakowaniu: 30
Tranzystor N-MOSFET SiC; unipolarny; 1200V; 36mOhm; -40+175 st.C; SMD; TSC (U2)
Ilość szt. Cena netto PLN/szt.
1+ 145,90
30+ 102,13
450+ 87,53
10350+ 80,23
0
sztuk w magazynie
Wielokrotność: 1 szt.
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Opakowanie: rolka
Ilość w opakowaniu: 800
Tranzystor N-MOSFET SiC; unipolarny; 1200V; 47mOhm; -40+175 st.C; SMD; TO-263-7 XL
Ilość szt. Cena netto PLN/szt.
1+ 74,06
30+ 51,87
450+ 44,46
10350+ 40,74
0
sztuk w magazynie
Wielokrotność: 1 szt.
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Opakowanie: rolka
Ilość w opakowaniu: 800
Tranzystor N-MOSFET SiC; unipolarny; 1200V; 47mOhm; -40+175 st.C; THT; TO-247-4
Ilość szt. Cena netto PLN/szt.
1+ 74,06
30+ 51,87
450+ 44,46
10350+ 40,74
0
sztuk w magazynie
Wielokrotność: 1 szt.
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Opakowanie: tuba
Ilość w opakowaniu: 30
Tranzystor N-MOSFET SiC; unipolarny; 1200V; 47mOhmTHT; TO-247-4
Ilość szt. Cena netto PLN/szt.
1+ 20,34
30+ 14,24
450+ 12,20
10350+ 11,21
0
sztuk w magazynie
Wielokrotność: 1 szt.
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Opakowanie: tuba
Ilość w opakowaniu: 30
Tranzystor N-MOSFET SiC; unipolarny; 1200V; 47mOhm; -40+175 st.C; SMD; TSC (U2)
Ilość szt. Cena netto PLN/szt.
1+ 74,06
30+ 51,87
450+ 44,46
10350+ 40,74
0
sztuk w magazynie
Wielokrotność: 1 szt.
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Opakowanie: rolka
Ilość w opakowaniu: 800
Tranzystor N-MOSFET SiC; unipolarny; 1200V; 65mOhm; -40+175 st.C; SMD; TO-263-7 XL
Ilość szt. Cena netto PLN/szt.
1+ 72,35
30+ 50,63
450+ 43,40
10350+ 39,79
0
sztuk w magazynie
Wielokrotność: 1 szt.
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Opakowanie: rolka
Ilość w opakowaniu: 800
Tranzystor N-MOSFET SiC; unipolarny; 1200V; 65mOhm; -40+175 st.C; THT; TO-247-4
Ilość szt. Cena netto PLN/szt.
1+ 72,49
30+ 50,74
450+ 43,51
10350+ 39,86
0
sztuk w magazynie
Wielokrotność: 1 szt.
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Opakowanie: tuba
Ilość w opakowaniu: 30
Tranzystor N-MOSFET SiC; unipolarny; 1200V; 65mOhmTHT; TO-247-4
Ilość szt. Cena netto PLN/szt.
1+ 19,86
30+ 13,91
450+ 11,94
10350+ 10,92
0
sztuk w magazynie
Wielokrotność: 1 szt.
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Opakowanie: tuba
Ilość w opakowaniu: 30
Tranzystor N-MOSFET SiC; unipolarny; 1200V; 65mOhm; -40+175 st.C; SMD; TSC (U2)
Ilość szt. Cena netto PLN/szt.
1+ 91,25
30+ 63,88
450+ 54,79
10350+ 50,19
800
sztuk w magazynie
Wielokrotność: 1 szt.
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Opakowanie: rolka
Ilość w opakowaniu: 800
Ilość
Razem 91,25 PLN netto
Moduł półprzewodnikowy dyskretny SIC; 4mOhm, 1200V, 48 mm, GM4, Półmostek, Przemysłowy, Obudowa GM
Ilość szt. Cena netto PLN/szt.
1+ 1 055,14
10+ 899,26
0
sztuk w magazynie
Wielokrotność: 1 szt.
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Moduł półprzewodnikowy dyskretny SIC; 8mOhm, 1200V, 48 mm, GM3, Półmostek, Przemysłowy, Obudowa GM
Ilość szt. Cena netto PLN/szt.
1+ 673,00
0
sztuk w magazynie
Wielokrotność: 1 szt.
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
contact